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Tecnología de heterounión

Tecnología fotoeléctrica sobre base de silicio, reconocida en todo el mundo, más efectiva y muy prometedora

25%
Eficiencia de la célula
90%
Factor de reciprocidad
>100
Instalaciones de alta tecnología

La tecnología de heterounión

El Centro científico tecnológico Unigreen Energy desarrolla e implementa esta tecnología en la producción industrial desde el año 2017

25%
Eficiencia de la célula
>90%
Factor de reciprocidad

Ventajas de la tecnología HJT

hasta el 25%
hasta el 25%
La alta eficiencia de los módulos no sólo le ahorrará espacio de colocación, sino también le permitirá colocar menos estructuras de soporte
-0.26%  / °C
-0.26% / °C
El bajo coeficiente de temperatura de los módulos HJT aumenta la producción hasta el 10% en climas cálidos y condiciones de poca luz (comprobar el 10%)
>90%
>90%
Bifacialité ultra élevée vous permet d'augmenter la production d'électricité jusqu'à 20 %, ce qui offre des périodes de récupération plus longues
más de 15 años
más de 15 años
Garantía de producto extendida para módulos HJT

Más información sobre la tecnología de heterounión

Metalización de la parte frontal y trasera Metalización de la parte frontal y trasera
Metalización de la parte frontal y trasera
Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo
Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo
Capas de contacto ITO aplicadas Capas de contacto ITO aplicadas
Capas de contacto ITO aplicadas
Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N
Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N
Metalización de la parte frontal y trasera
Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo
Capas de contacto ITO aplicadas
Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N
Metalización de la parte frontal y trasera Metalización de la parte frontal y trasera
Metalización de la parte frontal y trasera
Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo
Estructura semiconductora formada por capas de silicio amorfo
Capas de contacto ITO aplicadas Capas de contacto ITO aplicadas
Capas de contacto ITO aplicadas
Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N
Oblea de silicio monocristalino texturizado, tipo N

La tecnología de heterounión
comparada con la tecnología PERC

Garantía de producció

Valores promedio de vida útil para
el tipo de celda, sin pérdida de eficiencia
hasta 25 años
hasta 30 años

Coeficiente de temperatura

Coeficiente de temperatura
promedio para el tipo de celda
-0.38%/°C
-0.26%/°C

Eficiencia máxima

Eficiencia de celda más alta jamás
registrada durante el uso operativo
23.5%
25%

Cuota del mercado

36%
10%

Precio

Costo de producción por celda básica,
con características medias
comienza desde $ 0.24 / W
hasta $0.34/W

Producción de células de heterounión

Nuestros activos

Nuestros activos son una de las claves del liderazgo y el éxito de Unigreen. Gestionamos nuestros activos con los más altos estándares de salud, seguridad y medio ambiente

Nuestra fábrica

El mayor fabricante de productos HJT para energía solar en Europa
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Unigreen BNK Electric

Planta eléctrica para soluciones de energía solar
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