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Heterojunction-Technologie

Ist weltweit als die effizienteste und vielversprechendste Photovoltaiktechnologie auf Siliziumbasis anerkannt

25%
Zelleffizienz
90%
Bifazialitätsfaktor
>100
High-Tech-Anlagen

Heterojunction-Technologie

Das Wissenschaftlich-Technisches Zentrum Unigreen Energy entwickelt und implementiert diese Technologie seit 2017 in der industriellen Produktion um

25%
Zelleffizienz
>90%
Bifazialitätsfaktor

Vorteile der HJT-Technologie

bis zu 25 %
bis zu 25 %
Die hohe Effizienz der Module ermöglicht es, nicht nur Platz für die Aufstellung zu sparen, sondern auch eine geringere Anzahl von Stützkonstruktionen zu verwenden
- 0,26 % / °C
- 0,26 % / °C
Temperaturkoeffizient Der niedrige Temperaturkoeffizient für HJT-Module erhöht die Erzeugung in heißem Klima und bei schlechter Beleuchtung um bis zu 10 % (10 % ist zu prüfen)
>90%
>90%
Extrem hoher Bifazialitätsfaktor ermöglicht es, die Stromerzeugung um bis zu 20 % zu steigern, was für höhere Amortisationszeiten sorgt
über 15 Jahre
über 15 Jahre
Erweiterte Produktgarantie für HJT-Module

Mehr Informationen zur Heterojunction-Technologie

Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite
Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite
Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten
Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten
Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten
Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten
Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ
Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ
Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite
Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten
Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten
Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ
Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite
Metallüberziehung der Vorder- und Rückseite
Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten
Gebildete Halbleiterstruktur aus amorphen Silizium-Schichten
Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten
Aufgebrachte ITO-Kontaktschichten
Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ
Texturierter monokristalliner Siliziumwafer vom N-Typ

Heterojunction-Technolog
ie im Vergleich mit der PERC-Technologie

Garantie für die Erzeugung

Durchschnittliche Lebensdauerwerte
für Zelltyp, ohne Effizienzverlust
bis zu 25 Jahre
bis zu 30 Jahre

Temperaturkoeffizient

Durchschnittlicher Temperaturkoeffizient
für den Zelltyp
-0.38%/°C
- 0,26 %/°C

Maximale Effizienz Höchster

Zellwirkungsgrad, der jemals während
des Betriebs aufgezeichnet wurde
23.5%
25%

Marktanteil

36%
10%

Preis

Produktionskosten pro Basiszelle mit durchschnittlichen Eigenschaften
ab 0,24 $/W
bis zu 0,34 $/W

Die Herstellung von Heterojunction-Zellen

Aktiva

Unsere Vermögenswerte sind einer der Schlüssel zu Unigreens Führung und Erfolg. Wir verwalten unsere Vermögenswerte nach den höchsten Gesundheits-, Sicherheits- und Umweltstandards

Unsere Fabrik

Der größte Hersteller von HJT-Produkten für Solarenergie in Europa
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Unigreen BNK Electric

Elektrische Anlage für Solarenergielösungen
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